RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
39
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3341
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link