RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
39
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3277
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link