RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
43
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
43
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2867
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link