RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
39
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2060
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link