RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
39
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2199
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link