RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
39
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
37
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2026
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link