RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.2
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
39
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
1338
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link