RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
56
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
56
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2235
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link