RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
75
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
75
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
1717
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link