RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
56
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3808
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link