RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
56
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3444
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston HP16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link