RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
56
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3736
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link