RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
56
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3115
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link