RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
56
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3023
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link