RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
56
Wokół strony -211% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3421
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link