RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
56
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3293
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link