RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
56
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2245
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link