RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
56
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2841
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston K531R8-MIN 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081 4GB
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link