RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
56
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2732
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link