RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
56
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3482
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R744G2133U1S 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link