RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
96
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.9
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
96
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
1211
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link