RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
56
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
1844
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link