RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Porównaj
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
52
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
38
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2173
2690
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link