RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Porównaj
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Wynik ogólny
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
52
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
14900
Wokół strony 1.43 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
21300
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2173
3694
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link