RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
52
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2173
3773
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link