RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Porównaj
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Wynik ogólny
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
52
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
14900
Wokół strony 1.29 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
22
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
19200
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2173
2666
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link