Porównanie pamięci RAM Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Wynik ogólny

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

27 52

Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

11.4 9.7

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

11.8 7.2

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 14900

Wokół strony 1.29 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

9-10-9-28 / 1866 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2173 2062

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns