RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Porównaj
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
52
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
14900
Wokół strony 1.72 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
51
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
25600
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2173
2687
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link