RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Porównaj
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
52
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2173
3741
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link