Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Wynik ogólny
star star star star star
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB

V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    33 left arrow 52
    Wokół strony -58% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    15 left arrow 9.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.5 left arrow 7.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 14900
    Wokół strony 1.43 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    52 left arrow 33
  • Prędkość odczytu, GB/s
    9.7 left arrow 15.0
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.2 left arrow 8.5
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    14900 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2173 left arrow 2524
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania