Porównanie pamięci RAM Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Wynik ogólny

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

52 73

Wokół strony 29% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

15.2 9.7

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.1 7.2

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 14900

Wokół strony 1.43 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara

9-10-9-28 / 1866 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2173 1843

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns