RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Porównaj
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.1
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14200
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
14200
17000
Other
Opis
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2272
2897
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB Porównanie pamięci RAM
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M393B2G70EB0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link