RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Porównaj
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.5
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2901
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link