RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Porównaj
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2275
3401
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link