RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2517
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link