RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3425
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link