RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2316
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link