RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2236
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link