RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2796
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link