RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
26
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
20
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3652
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link