RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3781
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link