RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3618
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link