RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3341
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link