RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
12.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2689
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link