RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3628
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link