RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
84
Wokół strony 69% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
84
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1932
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-015.A00LF 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link