RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
53
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
53
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2863
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link