RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
94
Wokół strony 72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
94
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1699
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link