RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2364
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link