RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3254
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link